MOS管驱动器

功能

•可在-60°C至+230°C温度范围之外运行。

•驱动P-和N-沟道MOSFET（VGS=5V）。

•输入到输出级的偏移电压从-30V到+35V。

•作为低端或高端驱动器操作。

•PVDD域上的欠压锁定（UVLO）。

•标准施密特触发器CMOS输入。

•即插即用，可使用任何数字3.5V至5V输出。

•高达1A汇/源电流（@Tj=+230°C）。

•P沟道和N沟道MOSFET的去饱和保护。

•检测到去饱和时的软关闭功能。

•向数字控制器报告错误。

•单片设计。

•免闩锁。

•坚固耐用的陶瓷SMD和通孔封装。

•也可用作裸模。

应用

•可靠性关键，汽车、航空航天、井下。

•DC/DC转换器、负载点功率转换器、开关电源、PWM控制、电机驱动、浮动或接地开关、电源开关（GaN）。